160 WATT HEXFET IGBT ANFI

160 WATT HEXFET IGBT ANFI


IGBT Transistor Amplifier đầu ra mạch giai đoạn GT20D201 (p-kênh IGBT) vàGT20D101 (n-kênh IGBT) sử dụng khá chất lượng mạch khuếch đại thiết kế mạch in cũng mạch khá phong cách loa 8 ohm với 88w 4 ohm loa với rms 146w có thể đưa ra tiếng ồn Sức mạnh thực sự ( THD Tổng méo hài ) là rất thấp, 0,002% (1kHz) 47,7 trở kháng đầu vào.
Một cảm giác êm đềm P2 1k nồi cắt với các thiết lập hiện nay được thực hiện nhàn rỗi hiện tại rút ra bởi loa của bộ khuếch đại mà không có tín hiệu đầu vào là từ 100 đến ... 0,200 P2 cắt nồi nên được thiết lập. khám phá tài nguyên cho các mạch cung cấp điện sau khi mạch 2x30v AC 350W chỉnh lưu biến áp diode cầu sử dụng một cách thận trọng Có tổng cộng 2x43v 86v dc điện áp cao, giá trị này là nguy hiểm nhất nó đang xảy ra.
Ngoài ra, lưu ý rằng độ trễ của loa là nhận được cùng một trafadone vì tốc độ truyền có trong mạch trễ tạm thời sẽ là 2x30V AC. Bobbin đầu ra sẽ được cuộn 8 vòng tại sân 1,5mm
Tóm tắt sơ lược về các bóng bán dẫn IGBT (http://en.wikipedia.org/wiki/IGBT)
Cách nhiệt, Gate Bipolar, Transistor, bao gồm tên viết tắt của các từ như MOSFETs trong khi điều này yếu tố mạch điện tử ( điện áp điều khiển ) transistor lưỡng cực hoạt động kinh doanh ( cao hiện nay ) đóng vai trò như.
Như một diode bạn có thể bật và tắt với một mạch, bạn có thể sử dụng nó như một triac mà bạn có thể kiểm soát với một bóng bán dẫn lưỡng cực cổng hoặc một bóng bán dẫn MOSFET bạn có thể kiểm soát với một cổng.
Sơ đồ mạch và mô tả (bằng tiếng Anh) tập tin:
Tệp tải xuống danh sách LINK (ở định dạng TXT) link-122.zip mật khẩu-pass: 320volt.com

Post a Comment

[disqus] [facebook] [blogger]

MKRdezign

Biểu mẫu liên hệ

Name

Email *

Message *

Powered by Blogger.
Javascript DisablePlease Enable Javascript To See All Widget
Hỗ trợ trực tuyến